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GasClam地下氣體監測儀

簡要描述:GasClam地(di)下氣(qi)體監測儀(yi)可埋藏(zang)于地(di)下長達三個月用于測量地(di)下多(duo)種(zhong)氣(qi)體。是*可以同時提(ti)供溫度、大氣(qi)壓力(li)(li)和(he)地(di)下壓力(li)(li)等長期數(shu)據的監測儀(yi)!這(zhe)是地(di)下監測應(ying)用新(xin)測量方法。

  • 產品型號:GasClam
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時(shi)間:2024-03-04
  • 訪  問(wen)  量(liang):1679

詳細介紹

產地類別國產

GasClam地下氣體監測儀可(ke)埋(mai)藏于地下長(chang)達三(san)個(ge)月用于測(ce)量地下多種氣(qi)(qi)體。是*可(ke)以(yi)同時提供溫度、大(da)氣(qi)(qi)壓(ya)力和地下壓(ya)力等長(chang)期數據的監(jian)測(ce)儀!這是地下監(jian)測(ce)應用新測(ce)量方法。

重要特征:

 GasClam地下氣體監測儀易于安裝(zhuang)在一個50mm或2英寸的安全鉆孔內(nei)

 連續3個月無人操控的數據收集(ji)

  GasClam地下氣體監測儀可檢測甲烷(CH4),氧氣(O2)和二氧化碳(CO2

 可檢測溫度、地下壓力和大氣(qi)壓力

 可選檢測CO或VOC,及水深

 2個標準D型(xing)堿性干電池供電運(yun)行

 安(an)全防爆(bao)

 可(ke)自設的(de)鉆孔(kong)排氣程序

  應用領域

   垃圾(ji)堆填區

   精煉廠(chang)

   現場(chang)監測(ce)

   地質(zhi)環境監測

   土壤質量評估

   地質勘查

   受污(wu)染(ran)土地和廢棄煤礦

   石油/溶劑(ji)儲(chu)存和汽車加油站

  優(you) 點

   減少不(bu)必(bi)要的(de)現場檢測

   為現場評估提供完(wan)整的數據

   監(jian)測嚴謹

   迎合所有立法部門(men)的(de)需求

   同時(shi)記錄包括(kuo)大(da)氣壓力(li)的(de)所(suo)有相關數(shu)據,

   可現場(chang)下載數據以進(jin)行快速分(fen)析

   所(suo)有檢(jian)測的(de)數據都會連同時間、日期標識一起記(ji)錄下(xia)來(lai),以作進一步詳細分析。

   在(zai)氣體監(jian)測過程中(zhong)可排除任何不(bu)確(que)定的氣體

   協助保護氣體(ti)測量的(de)設計

   驗證(zheng)了生(sheng)物氣產(chan)生(sheng)的運作過程

   同樣能監測溫(wen)室(shi)氣體的排放

   定點監測更為安全

   根據特別的應用需求,可自行選配一氧(yang)化(hua)碳(CO)或揮發(fa)性有(you)機(ji)化(hua)合物(VOC)傳感器

   檢(jian)測存(cun)在(zai)地下水(shui)的(de)現場時,可選擇測量水(shui)深(shen)的(de)傳感器以免影(ying)響結果。

   控(kong)制鉆孔通(tong)風(feng)口以測量出濃度累積的倍數

   可選(xuan)的(de)遙感勘測系統為(wei)重(zhong)點區(qu)域提供實時監控(kong)

典型應用

   垃圾堆填區

   受污染土地和(he)廢棄煤(mei)礦

   石油 / 溶劑(ji)儲存和汽車加油站

   精練(lian)廠

   地(di)下碳采集和儲存

 

氣體(ti)           方(fang)法/類型           量程(cheng)              精確(que)度           

CH4              紅外(wai)            0-100% vol           0.01%

CO2              紅(hong)外            0-100% vol           0.01%

O2              電(dian)化(hua)學           0-25% vol             0.1%

CO*             電化學           0-2000 ppm           1 ppm

VOC*              PID            0-4000 ppm           1 ppm

 

環(huan)境           ;方法/類型           量程              精確度(du)

溫度            內置(zhi)芯片      -5℃~50℃或23℉~122℉   1℃或1℉

大(da)氣壓(ya)力          壓(ya)電(dian)           800~1200mb           0.1mb

地(di)下壓力(li)          壓電(dian)          -100~100 mb           0.01mb

水深*             壓電(dian)           ;  0~10 m             0.1m

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